• 凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长
• 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率
• 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平

德国慕尼黑和奥地利菲拉赫2024年9月12日 /美通社/ -- 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。

基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。先进的GaN制造工艺能够提高器件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，凭借可扩展性，300 mm制造工艺在客户供应方面具有极高的稳定性。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示："这项重大成功是英飞凌的创新实力和全球团队努力工作的结果，进一步展现了我们在GaN和功率系统领域创新领导者的地位。这一技术突破将推动行业变革，使我们能够充分挖掘GaN的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次展现了在快速增长的GaN市场成为领导者的决心。作为功率系统领域的领导者，英飞凌掌握了全部三种相关材料，即：硅、碳化硅和氮化镓。"

英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借300 mm GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。

这一开创性的技术成就彰显了英飞凌在全球功率系统和物联网半导体领域的领导者地位。英飞凌正通过布局300 mm GaN技术，打造更具成本效益价值、能够满足客户系统全方位需求的产品，以加强现有解决方案并使新的解决方案和应用领域成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展（electronica）上向公众展示首批300 mm GaN晶圆。

由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此300 mm GaN技术的一大优势是可以利用现有的 300 mm硅制造设备。英飞凌现有的大批量300 mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能够有效利用资本。300 mm GaN的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。

300 mm GaN是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。